В России создадут САПР для проектирования чипов 28 нм. Работы начнутся до конца года - QubStore

В России создадут САПР для проектирования чипов 28 нм. Работы начнутся до конца года

Российские власти готовят следующий шаг в развитии собственной микроэлектроники — создание систем автоматизированного проектирования для чипов с топологией 28 нанометров. Запуск этой работы намечен на конец текущего года.

В России создадут САПР для проектирования чипов 28 нм. Работы начнутся до конца года

Как выяснил CNews из презентации директора департамента цифровых технологий Минпромторга Владимира Дождева, ведомство инициирует опытно-конструкторскую работу под названием «САПР Цифра-Р». Этот проект станет вторым этапом освоения передового техпроцесса: первый, предполагающий создание базового маршрута проектирования, должен завершиться к концу 2026 года. Технология 28 нм критически важна для выпуска производительных процессоров, микроконтроллеров и систем на кристалле для смартфонов, автоматизации производства и телекоммуникаций.

Следующая ступень программы запланирована на 2029 год — тогда стартует ОКР «Программа ПТМ-Про». Как пояснили в МНТЦ МИЭТ, речь идет о разработке отечественного ПО для приборно-технологического моделирования (ПТМ). Такой софт имитирует физико-химические процессы при создании микросхем — от ионной имплантации до окисления кремния — и рассчитывает электрические параметры будущих устройств, что необходимо для оптимизации производства.

В рамках общей «дорожной карты» уже есть завершенные проекты. Например, демонстратор технологии 180 нм «Обсидиан» от ФПИ, модули для «САПР микроэлектроника», а также программа ПТМ, симулирующая 2D-процессы для CMOS и BCD-структур до 130 нм. Готов и проект по корпусированию чипов по технологии flipchip. Однако ряд ОКР пока в работе: софт для техпроцессов до 90 нм («САПР Цифра-Б») адаптируют под нужды «НМ-Тех» и «Микрона», инструменты для аналоговых схем 350-180 нм («САПР Аналог-Б») — под «Микрон» и структуры «Росатома», а «САПР СВЧ-Б» для несложных сверхвысокочастотных устройств — под «Исток им. Шокина».

В ближайших планах Минпромторга также значатся ОКР «САПР СВЧ-Р» и «САПР Аналог-Р» для техпроцессов до 130-65 нм с привязкой к «НМ-Тех», проект «Программа ПТМ-3D», а также работы по фотошаблонам («Фотошаблоны-Б») и проволочному монтажу систем в корпусе («САПР Сак-Т»). Общий бюджет на НИОКР по созданию российских САПР до 2030 года оценивается в 54,6 млрд рублей, к этому сроку планируется выпустить порядка 100 платформ и продать 2,6 тыс. лицензий.

Разработка инструментов проектирования напрямую связана с импортозамещением: сейчас отечественные дизайн-центры зависят от софта Synopsys и Cadence, которые свернули поддержку в России после 2022 года. Работы по 28 нм логично сочетаются со строительством завода «ФАБ-300» зеленоградским предприятием «НМ-Тех». Кроме того, с января 2026 года обсуждается создание «Объединенной микроэлектронной компании», которая объединит «НМ-Тех», группу «Элемент» и «Ангстрем» для выпуска чипов по топологии 28 нм и менее. На эти цели до 2030 года из бюджета может быть направлен 1 трлн рублей.

Ссылка на основную публикацию