Российские ученые запатентовали способ очистки диоксида кремния - ключ к производству современных чипов - QubStore

Российские ученые запатентовали способ очистки диоксида кремния — ключ к производству современных чипов

Университет Лобачевского запатентовал технологию глубокой очистки нанопорошка диоксида кремния — материала, без которого не обходится выпуск современных полупроводников. На основе очищенного порошка исследователи создали полировальные суспензии, а технологическая линия и регламент производства продукта уже готовы — в октябре 2026 года разработку передали на апробацию индустриальному партнёру.

Российские ученые запатентовали способ очистки диоксида кремния - ключ к производству современных чипов
Российские ученые запатентовали способ очистки диоксида кремния - ключ к производству современных чипов

Патент получила научно-исследовательская лаборатория инженерной химии НИИ химии Университета Лобачевского. Помимо самой очистки, учёные предложили подход к комплексному управлению свойствами наночастиц: технология даёт частицы заданного размера и формы с высокой однородностью, стабильностью и минимальным количеством примесей. Именно эти параметры критичны при производстве микросхем, сообщает ТАСС.

Руководитель исследования, кандидат химических наук и научный сотрудник лаборатории Ксения Отвагина уточнила: изобретение касается очистки аморфного диоксида кремния. Его применяют в химико-механической полировке полупроводниковых пластин и в других процессах, где нужны высокочистые абразивные наноматериалы. Итогом работы стала устойчивая суспензия, которую и отправили на проверку партнёру.

Проект стартовал в 2024 году в рамках стратегического направления «Новые материалы для микроэлектроники» федеральной программы «Приоритет-2030». К 16 октября 2026 года исследовательская часть — подбор состава и условий синтеза — в основном завершена. Сейчас команда сосредоточена на подтверждении стабильности технологии при масштабировании и на испытаниях материалов вместе с индустриальным партнёром.

От размера, формы и однородности наночастиц напрямую зависит качество обработки пластин, а значит — надёжность и производительность электроники. По словам Отвагиной, собственные материалы с контролируемыми характеристиками — важный шаг для российской микроэлектроники и способ снизить зависимость от зарубежных поставщиков, особенно на фоне ограничений на поставки. Ректор ННГУ имени Н.И. Лобачевского Олег Трофимов добавил: создание отечественной компонентной базы — одна из ключевых задач, а запатентованная технология показывает, как университетская наука откликается на запросы индустрии. Цель — выстроить полный цикл от фундаментальных исследований до серийного внедрения, и успешное масштабирование подтверждает выбранный курс.

Для справки: ННГУ имени Н.И. Лобачевского основан в 1916 году как один из трёх Народных университетов России. В 2026 году это один из ведущих вузов страны: около 30 тыс. студентов из 97 стран, 18 факультетов и институтов, четыре крупных научно-исследовательских института, суперкомпьютерный центр с машиной «Лобачевский» (24-е место по мощности среди вузовских суперкомпьютеров мира), биомедицинский кластер, центр нанотехнологий и инновационно-технологический центр с бизнес-инкубатором.

Ссылка на основную публикацию